Structura sensibilă la fascicul transversal după metoda de eliberare CMOS pentru hidrofonul vector MEMS

Metoda de eliberare CMOS după structura sensibilă la fascicul transversal pentru hidrofonul vector mems

domeniul tehnic

1. Prezenta invenţie se referă la domeniul semiconductorilor, în special la protecţia pereţilor laterali ai nitrurii de siliciu şi a structurilor sensibile la coroziune anizotrope ale siliciului, în special la o metodă de eliberare CMOS după o structură sensibilă la fascicul transversal orientată către un hidrofon vector mems.

Tehnica de fundal:

2. Hidrofonul vector mems poate detecta informații vectoriale, cum ar fi viteza de vibrație a particulelor subacvatice și poate fi aplicat platformelor de detectare subacvatice, cum ar fi sistemele de sonar, submersibile subacvatice fără pilot și geamanduri sonar aruncate în aer, iar performanța sa a primit o atenție extinsă . Hidrofonul vector mems integrat de cmos poate îmbunătăți foarte mult performanța hidrofonului vectorial și are o bună perspectivă de dezvoltare.

3. Integrarea post-CMOS în schema de integrare CMOS este un subiect de cercetare fierbinte în prezent. În această schemă, modul de utilizare a procesului mems pentru a finaliza eliberarea structurii sub premisa de a fi compatibil cu CMOS este o provocare uriașă. În procesul tradițional de mems, fotolitografia este utilizată pentru a transfera modelul măștii pe placă de siliciu, iar acuratețea fotolitografiei în procesul mems nu este adesea la fel de bună ca procesul cmos, iar etapele de fotolitografie reduc eficiența producției și cresc costul de producție. . Este, de asemenea, o problemă care trebuie studiată pentru a realiza producția în masă de chips-uri.

4. Pentru a rezolva această problemă, pe baza structurii sensibile a hidrofonului vector mems, prezenta invenţie proiectează o metodă de eliberare post-cmos mems care nu necesită litografie şi este compatibilă cu cmos.

Contactaţi-ne:

Email: zhang@pride-cnc.com

Tel: plus 86-755-23699351

Mob: plus 8618666663894